स्पेसिकल अप्टिकल फाइबर- वासिन फुजिकुरा उच्च तापमान प्रतिरोधी अप्टिकल फाइबर वासिन फुजिकुरा
नान्जिङ वासिन फुजिकुरा उच्च तापक्रम प्रतिरोधी अप्टिकल फाइबरमा राम्रो अप्टिकल गुणहरू, उत्कृष्ट गतिशील थकान गुणहरू र उच्च तापक्रम अवस्थाहरूमा उच्च तन्य शक्ति हुन्छ। वासिन फुजिकुरामा उच्च तापक्रम प्रतिरोधी फाइबरहरूको दुई शृङ्खलाहरू छन्, 200 डिग्री र 350 डिग्रीमा।
सुविधा
► राम्रो उच्च तापमान प्रदर्शन
► तीव्र कम-तापमान र उच्च तापक्रमको निरन्तर चक्र अन्तर्गत स्थिरता प्रदर्शन (-55 डिग्री सेल्सियस सम्म 300 डिग्री सेल्सियस सम्म)
► कम हानि, चौडा ब्यान्ड (नजीक पराबैंगनी देखि नजिकको इन्फ्रारेड ब्यान्ड, 400nm देखि 1600nm सम्म)
► अप्टिकल क्षति क्षमताको लागि राम्रो प्रतिरोध
► 100KPSI शक्ति स्तर
► प्रक्रिया लचिलो छ र फरक ज्यामिति, फाइबर प्रोफाइल संरचना, NA, र यति महसुस गर्न अनुकूलित गर्न सकिन्छ।
200 डिग्री मा अधिकतम काम तापमान
|
कोटिंग रूपमा polyacrylic राल |
|||
| प्यारामिटर |
HTMF |
HTHF |
HTSF |
| क्लेडिङ व्यास (उम) |
५०±२.५ |
६२.५±२.५ |
- |
| क्लेडिङ व्यास (उम) |
१२५±१.० |
१२५±१.० |
१२५±१.० |
| क्ल्याडिङ गैर सर्कुलरिटी (%) |
≤१ |
≤१ |
≤१ |
| कोर / क्लेडिंग सांद्रता (उम) |
≤२ |
≤२ |
≤०.८ |
| कोटिंग व्यास (उम) |
245±10 |
245±10 |
245±10 |
| कोटिंग / क्ल्याडिङ सांद्रता (उम) |
≤१२ |
≤१२ |
≤१२ |
| संख्यात्मक एपर्चर (NA) |
०.२००±०.०१५ |
०.२७५±०.०१५ |
- |
| मोड क्षेत्र व्यास (um) @1310nm |
- |
- |
९.२±०.४ |
| मोड क्षेत्र व्यास (um) @1550nm |
- |
- |
१०.४±०.८ |
| ब्यान्डविथ (MHz.km) @850nm |
≥३०० |
≥१६० |
- |
| ब्यान्डविथ(MHz.km) @1300nm |
≥३०० |
≥३०० |
- |
| प्रमाण टिट स्तर (kpsi) |
100 |
100 |
100 |
| सञ्चालन तापमान दायरा (°C) |
-५५ देखि +२०० सम्म |
-५५ देखि +२०० सम्म |
-५५ देखि +२०० सम्म |
| छोटो अवधि (°C) (दुई दिनमा) |
200 |
200 |
200 |
| दीर्घकालीन (°C) |
150 |
150 |
150 |
| एटेन्युएशन (dB/km) @1550nm |
- |
- |
≤०.२५ |
| क्षीणता (dB/km) |
≤0.7 @1300nm |
≤0.8 @1300nm |
≤0.35@1310nm |
| एटेन्युएशन (dB/km) @850nm |
≤२.८ |
≤३.० |
- |
| कटअफ तरंगदैर्ध्य |
- |
- |
≤ 1290nm |
350 डिग्री मा अधिकतम काम तापमान
| कोटिंग को रूप मा polyimide | |||
| प्यारामिटर | HTMF | HTHF | HTSF |
| क्लेडिङ व्यास (उम) | ५०±२.५ | ६२.५±२.५ | - |
| क्लेडिङ व्यास (उम) | १२५±१.० | १२५±१.० | १२५±१.० |
| क्ल्याडिङ गैर सर्कुलरिटी (%) | ≤१ | ≤१ | ≤१ |
| कोर / क्लेडिंग एकाग्रता (उम) | ≤2.0 | ≤2.0 | ≤०.८ |
| कोटिंग व्यास (उम) | १५५±१५ | १५५±१५ | १५५±१५ |
| कोटिंग / क्लेडिंग सांद्रता (उम) | 10 | 10 | 10 |
| संख्यात्मक एपर्चर (NA) | ०.२००±०.०१५ | ०.२७५±०.०१५ | - |
| मोड क्षेत्र व्यास (um) @1310nm | - | - | ९.२±०.४ |
| मोड क्षेत्र व्यास (um) @1550nm | - | - | १०.४±०.८ |
| ब्यान्डविथ (MHz.km) @850nm | ≥३०० | ≥१६० | - |
| ब्यान्डविथ(MHz.km) @1300nm | ≥३०० | ≥३०० | - |
| प्रमाण टिट स्तर (kpsi) | 100 | 100 | 100 |
| सञ्चालन तापमान दायरा (°C) | -५५ देखि + ३५० | -५५ देखि + ३५० | -५५ देखि + ३५० |
| छोटो अवधि (°C) (दुई दिनमा) | 350 | 350 | 350 |
| दीर्घकालीन (°C) | 300 | 300 | 300 |
| क्षीणता (dB/km) @1550nm | - | - | ०.२७ |
| क्षीणता (dB/km) | ≤1.2 @1300nm | ≤1.4@1300nm | ≤0.45@1310nm |
| एटेन्युएशन (dB/km) @850nm | ≤३.२ | ≤३.७ | - |
| कटअफ तरंगदैर्ध्य | - | - | ≤1290 nm |
एटेन्युएशन टेस्ट, 1 ~ 2g टेन्सनद्वारा 35 सेमी भन्दा ठूलो व्यास भएको डिस्कमा फाइबर घुमाउँदै
