विशेष अप्टिकल फाइबर- वासिन फुजिकुरा उच्च तापक्रम प्रतिरोधी अप्टिकल फाइबर वासिन फुजिकुरा

छोटो वर्णन:

नान्जिङ वासिन फुजिकुरा उच्च तापक्रम प्रतिरोधी अप्टिकल फाइबरहरूमा राम्रो अप्टिकल गुणहरू, उत्कृष्ट गतिशील थकान गुणहरू र उच्च तापक्रम अवस्थाहरूमा उच्च तन्य शक्ति हुन्छ। वासिन फुजिकुरामा २०० डिग्री र ३५० डिग्रीमा उच्च तापक्रम प्रतिरोधी फाइबरहरूको दुई श्रृंखलाहरू छन्।


उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

नान्जिङ वासिन फुजिकुरा उच्च तापक्रम प्रतिरोधी अप्टिकल फाइबरहरूमा राम्रो अप्टिकल गुणहरू, उत्कृष्ट गतिशील थकान गुणहरू र उच्च तापक्रम अवस्थाहरूमा उच्च तन्य शक्ति हुन्छ। वासिन फुजिकुरामा २०० डिग्री र ३५० डिग्रीमा उच्च तापक्रम प्रतिरोधी फाइबरहरूको दुई श्रृंखलाहरू छन्।

सुविधा

► राम्रो उच्च तापक्रम प्रदर्शन
► तीव्र कम-तापमान र उच्च तापक्रमको निरन्तर चक्र अन्तर्गत स्थिरता प्रदर्शन (-५५ डिग्री सेल्सियसदेखि ३०० डिग्री सेल्सियससम्म)
► कम क्षति, चौडा ब्यान्ड (नजिकको पराबैंगनी देखि नजिकको इन्फ्रारेड ब्यान्ड सम्म, ४००nm देखि १६००nm सम्म)
► अप्टिकल क्षति क्षमताको लागि राम्रो प्रतिरोध
► १००KPSI शक्ति स्तर
► प्रक्रिया लचिलो छ र विभिन्न ज्यामिति, फाइबर प्रोफाइल संरचना, NA, र यस्तै अन्य कुराहरू महसुस गर्न अनुकूलित गर्न सकिन्छ।

अधिकतम काम गर्ने तापमान २०० डिग्री

कोटिंगको रूपमा पोलीएक्रिलिक राल

प्यारामिटर

एचटीएमएफ

एचटीएचएफ

एचटीएसएफ

क्ल्याडिङ व्यास (um)

५०±२.५

६२.५±२.५

-
क्ल्याडिङ व्यास (um)

१२५±१.०

१२५±१.०

१२५±१.०

क्ल्याडिङको गोलाकारता (%)

≤१

≤१

≤१

कोर / क्ल्याडिङको सांद्रता (um)

≤२

≤२

≤०.८

कोटिंग व्यास (उम)

२४५±१०

२४५±१०

२४५±१०

कोटिंग / क्ल्याडिङको एकाग्रता (um)

≤१२

≤१२

≤१२

संख्यात्मक एपर्चर (NA)

०.२००±०.०१५

०.२७५±०.०१५

-
मोड फिल्ड व्यास (um) @१३१०nm

-

-

९.२±०.४

मोड फिल्ड व्यास (um) @१५५०nm

-

-

१०.४±०.८

ब्यान्डविथ (MHz.km) @८५०nm

≥३००

≥१६०

-
ब्यान्डविथ (MHz.km) @१३००nm

≥३००

≥३००

-
प्रमाणित टिच स्तर (kpsi)

१००

१००

१००

सञ्चालन तापमान दायरा (°C)

-५५ देखि +२०० सम्म

-५५ देखि +२०० सम्म

-५५ देखि +२०० सम्म

छोटो अवधि (°C) (दुई दिनमा)

२००

२००

२००

दीर्घकालीन (°C)

१५०

१५०

१५०

क्षीणन (dB/किमी) @१५५०nm

-

-

०.२५ भन्दा कम

क्षीणन (dB/कि.मी.)

≤०.७ @१३०० एनएम

१३०० एनएम @०.८ भन्दा कम

≤०.३५@१३१० एनएम
एटेन्युएसन (dB/किमी) @८५०nm

≤२.८

≤३.०

-
कटअफ तरंगदैर्ध्य

-

-

≤ १२९० एनएम

अधिकतम काम गर्ने तापमान ३५० डिग्री

कोटिंगको रूपमा पोलिमाइड
प्यारामिटर एचटीएमएफ एचटीएचएफ एचटीएसएफ
क्ल्याडिङ व्यास (उम) ५०±२.५ ६२.५±२.५ -
क्ल्याडिङ व्यास (उम) १२५±१.० १२५±१.० १२५±१.०
क्ल्याडिङ गैर-वृत्ताकारता (%) ≤१ ≤१ ≤१
कोर / क्ल्याडिङको एकाग्रता (um) ≤२.० ≤२.० ≤०.८
कोटिंग व्यास (उम) १५५±१५ १५५±१५ १५५±१५
कोटिंग / क्ल्याडिङको एकाग्रता (um) 10 10 10
संख्यात्मक एपर्चर (NA) ०.२००±०.०१५ ०.२७५±०.०१५ -
मोड फिल्ड व्यास (um) @१३१०nm - - ९.२±०.४
मोड फिल्ड व्यास (um) @१५५०nm - - १०.४±०.८
ब्यान्डविथ (MHz.km) @८५०nm ≥३०० ≥१६० -
ब्यान्डविथ (MHz.km) @१३००nm ≥३०० ≥३०० -
प्रमाणित टिच स्तर (kpsi) १०० १०० १००
सञ्चालन तापमान दायरा (°C) -५५ देखि+३५० सम्म -५५ देखि+३५० सम्म -५५ देखि+३५० सम्म
छोटो अवधि (°C) (दुई दिनमा) ३५० ३५० ३५०
दीर्घकालीन (°C) ३०० ३०० ३००
क्षीणन (dB/किमी) @१५५०nm - - ०.२७
क्षीणन (dB/किमी) ≤१.२ @१३०० एनएम ≤१.४@१३०० एनएम ≤०.४५@१३१० एनएम
एटेन्युएसन (dB/किमी) @८५०nm ≤३.२ ≤३.७ -
कटअफ तरंगदैर्ध्य - - ≤१२९० एनएम

एटेन्युएशन परीक्षण, ३५ सेमी भन्दा ठूलो व्यास भएको डिस्कमा फाइबर घुमाउने १ ~ २ ग्राम टेन्सन


  • अघिल्लो:
  • अर्को:

  • आफ्नो सन्देश यहाँ लेख्नुहोस् र हामीलाई पठाउनुहोस्।