मल्टीमोड फाइबर- OM4 मल्टीमोड फाइबर वासिन फुजिकुरा
Nanjing Wasin Fujikura OM4 मल्टिमोड फाइबर उन्नत प्लाज्मा सक्रिय रासायनिक वाष्प निक्षेप प्रक्रिया द्वारा निर्मित छ, लेगेसी 10-100 Gb/S प्रणाली अनुप्रयोगहरूलाई पूर्ण समर्थन गर्दछ। 10Gb/s इथरनेट लिंक दूरी 550m हासिल गर्नुहोस्।
प्रदर्शन
| विशेषता | अवस्था | मिति | एकाइ |
| अप्टिकल विशिष्टताहरू | |||
| क्षीणता | 850nm 1300nm | ≤2.5 ≤0.7 | dB/km dB/km |
| OFL ब्यान्डविथ | 850nm 1300nm | ≥३५०० ≥५०० | MHz·km MHz·km |
| प्रभावकारी मोडल ब्यान्डविथ | 850nm 1300nm | ≥४७०० ≥५०० | MHz·km MHz·km |
| 10Gb/s इथरनेट लिंक दूरी | 550 | m | |
| संख्यात्मक एपर्चर (NA) | ०.१८५-०.२१५ | ||
| शून्य फैलावट तरंगदैर्ध्य | १२९५-१३२० | nm | |
| शून्य फैलावट ढलान | 1295~1300nm1300~१३२० एनएम | ≤0.001 (A~1190)≤0.11 | ps/(nm2·km)ps/(nm2· किमी) |
| प्रभावकारी समूह | 850nm 1300nm | १.४७५१.४७३ | |
| ब्याक स्क्याटर विशेषताहरू (१३०० एनएम) | |||
| बिन्दु विच्छेद | ≤०.१ | dB | |
| ध्यान एकरूपता | ≤०.१ | dB | |
| द्वि-दिशात्मक मापनको लागि क्षीणन गुणांक भिन्नता | ≤०.१ | dB/km | |
| आयाम प्रदर्शन | |||
| कोर व्यास | ५०±२.५ | μm | |
| कोर गैर सर्कुलरता | ≤६.० | % | |
| क्लेडिंग व्यास | १२५±२ | μm | |
| क्लेडिङ गैर-गोलाकारता | ≤२ | % | |
| कोटिंग व्यास | 245±10 | μm | |
| क्लेडिङ/कोटिंग सांद्रता | ≤१२.० | μm | |
| कोर/क्लेडिङ सांद्रता | ≤१.५ | μm | |
| लम्बाइ | १.१~१७.६ | किमी/रिल | |
| वातावरणीय प्रदर्शन (850nm/1300nm) | |||
| नम गर्मी | 85°C, आर्द्रता≥85%, 30 दिन | ≤०.२ | dB/km |
| सुख्खा गर्मी | ८५°C±2°C, 30 दिन | ≤०.२ | dB/km |
| तापमान निर्भरता | -60°C~+85°C, दुई हप्ता | ≤०.२ | dB/km |
| पानी विसर्जन | 23°C±5°C, 30 दिन | ≤०.२ | dB/km |
| मेकानिकल प्रदर्शन | |||
| प्रमाण परीक्षण स्तर | ≥०.६९ | GPa | |
| Macrobend हानि 100 turnsφ75mm | 850nm र 1300nm | ≤०.५ | dB |
| पट्टी बल | १.०~५.० | N | |
| गतिशील थकान प्यारामिटर | ≥२० | ||
सुविधा
· कम सम्मिलन हानि
उच्च रिटर्न हानि।
· राम्रो पुनरावृत्ति
· राम्रो आदानप्रदान
· उत्कृष्ट वातावरणीय अनुकूलन क्षमता
आवेदन
· सञ्चार कक्षहरू
· FTTH (फाइबर टु द होम)
· LAN (लोकल एरिया नेटवर्क)
· FOS (फाइबर अप्टिक सेन्सर)
फाइबर अप्टिक संचार प्रणाली
· अप्टिकल फाइबर जडान र प्रसारण उपकरण
· रक्षा लडाई तयारी
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